|
Detail produk:
|
| Mengetik: | Triode Semikonduktor | Transistor Mosfet daya: | TO-126 Plastik Dienkapsulasi |
|---|---|---|---|
| ID Produk: | TIP122 TIP127 | Fitur: | Keuntungan Arus DC Tinggi |
| Pembuangan Daya Kolektor: | 1,25w | Suhu Junction: | 150℃ |
| Cahaya Tinggi: | komponen elektronik triode,sakelar semikonduktor |
||
TO-126 Transistor Plastik-Enkapsulasi
TIP122 Darlington Transistor (NPN)
TIP127 Darlington Transistor (PNP)
1. EMITTER
2. KOLEKTOR
3. DASAR
MARKING
TIP122, TIP127 = Kode perangkat
Titik padat = Perangkat majemuk pencetakan hijau, jika tidak ada, perangkat normal XX = Kode
Sirkuit Setara
MEMINTA INFORMASI
| Nomor bagian | Paket | Metode pengepakan | Jumlah paket |
| TIP122 | KE-126 | Jumlah besar | 200 pcs / Tas |
| TIP127 | KE-126 | Jumlah besar | 200 pcs / Tas |
| TIP122-TU | KE-126 | Tabung | 60 pcs / tabung |
| TIP127-TU | KE-126 | Tabung | 60 pcs / tabung |
| Simbol | Parameter | TIP122 | TIP127 | Satuan |
| VCBO | Tegangan Kolektor-Basis | 100 | -100 | V |
| VCEO | Tegangan Kolektor-Emitor | 100 | -100 | V |
| VEBO | Tegangan Basis Emitor | 5 | -5 | V |
| Saya C. | Kolektor Lancar -Terus-menerus | 5 | -5 | SEBUAH |
| P C * | Pembuangan Daya Kolektor | 1.25 | W | |
| RθJA | Persimpangan Perlawanan Termal ke Ambient | 100 | ℃ / W | |
| RθJc | Persimpangan Perlawanan Termal untuk Kasing | 8.33 | ℃ / W | |
| T J | Suhu persimpangan | 150 | ℃ | |
| Tstg | Suhu penyimpanan | -55 ~ + 150 | ℃ | |
T a = 25 Š kecuali ditentukan lain
| TIP122 NPN | |||||
| Parameter | Simbol | Kondisi pengujian | Min | Maks | Satuan |
| Tegangan rusak kolektor-basis | V (BR) CBO | I C = 1mA, I E = 0 | 100 | V | |
| Tegangan rusak kolektor-emitor | V CEO (SUS) | I C = 30mA, I B = 0 | 100 | V | |
| Arus cut-off kolektor | ICBO | V CB = 100V, I E = 0 | 0,2 | ma | |
| Arus cut-off kolektor | ICEO | V CE = 50 V, I B = 0 | 0,5 | ma | |
| Arus cut emitor | IEBO | V EB = 5 V, I C = 0 | 2 | ma | |
Keuntungan arus DC | hFE (1) | V CE = 3V, I C = 0,5A | 1000 | ||
| hFE (2) | V CE = 3V, I C = 3 A | 1000 | 12000 | ||
Tegangan saturasi kolektor-emitor | V CE (sat) | I C = 3A, I B = 12mA | 2 | V | |
| I C = 5 A, I B = 20mA | 4 | ||||
| Tegangan basis-emitor | VBE | V CE = 3V, I C = 3 A | 2.5 | V | |
| Kapasitansi Keluaran | Tongkol | V CB = 10V, I E = 0, f = 0,1MHz | 200 | pF | |
| TIP127 PNP | |||||
| Parameter | Simbol | Kondisi pengujian | Min | Maks | Satuan |
| Tegangan rusak kolektor-basis | V (BR) CBO | I C = -1mA, I E = 0 | -100 | V | |
| Tegangan rusak kolektor-emitor | V CEO (SUS) | I C = -30mA, I B = 0 | -100 | V | |
| Arus cut-off kolektor | ICBO | V CB = -100V, I E = 0 | -0.2 | ma | |
| Arus cut-off kolektor | ICEO | V CE = -50 V, I B = 0 | -0,5 | ma | |
| Arus cut emitor | IEBO | V EB = -5 V, I C = 0 | -2 | ma | |
Keuntungan arus DC | hFE (1) | V CE = -3V, I C = -0.5A | 1000 | ||
| hFE (2) | V CE = -3V, I C = -3A | 1000 | 12000 | ||
Tegangan saturasi kolektor-emitor | V CE (sat) | I C = -3A, I B = -12mA | -2 | V | |
| I C = -5 A, I B = -20mA | -4 | ||||
| Tegangan basis-emitor | VBE | V CE = -3V, I C = -3 A | -2,5 | V | |
| Kapasitansi Keluaran | Tongkol | V CB = -10V, I E = 0, f = 0,1MHz | 300 | pF | |
* Tes ini dilakukan tanpa pendingin pada T a = 25 ℃.
Ke-126 Dimensi Garis Besar Paket
| Simbol | Dimensi Dalam Milimeter | Dimensi Dalam Inci | ||
| Min | Maks | Min | Maks | |
| SEBUAH | 2.500 | 2.900 | 0,098 | 0,114 |
| A1 | 1.100 | 1.500 | 0,043 | 0,059 |
| b | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
| b1 | 1.170 | 1.370 | 0,046 | 0,054 |
| c | 0,450 | 0,600 | 0,018 | 0,024 |
| D | 7.400 | 7.800 | 0,291 | 0,307 |
| E | 10.600 | 11.000 | 0,417 | 0,433 |
| e | 2.290 TYP | 0,090 TYP | ||
| e1 | 4.480 | 4.680 | 0,176 | 0,184 |
| h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
| L. | 15.300 | 15.700 | 0,602 | 0,618 |
| L1 | 2.100 | 2.300 | 0,083 | 0,091 |
| P | 3,900 | 4.100 | 0,154 | 0,161 |
| Φ | 3.000 | 3.200 | 0,118 | 0,126 |
Kontak Person: David
