Rumah ProdukTriode Semikonduktor

TIP117 Transistor Arus Tinggi, Transistor Saklar Daya Kebocoran Rendah

Sertifikasi
Cina Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikasi
Cina Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikasi
Ulasan pelanggan
kami bekerja sama dengan Hua Xuan Yang sebagian besar karena profesionalisme mereka, tanggapan mereka yang tajam terhadap penyesuaian produk yang kami butuhkan, penyelesaian semua kebutuhan kami dan, di atas semua itu, Mereka menyediakan layanan berkualitas.

—— —— Jason dari Kanada

Di bawah rekomendasi teman saya, kami tahu tentang Hua Xuan Yang, seorang ahli senior dalam industri komponen semikonduktor dan elektronik, yang telah memungkinkan kami untuk mengurangi waktu berharga kami dan tidak harus berani mencoba pabrik lain.

—— —— Виктор dari Rusia

I 'm Online Chat Now

TIP117 Transistor Arus Tinggi, Transistor Saklar Daya Kebocoran Rendah

TIP117 Transistor Arus Tinggi, Transistor Saklar Daya Kebocoran Rendah
TIP117 Transistor Arus Tinggi, Transistor Saklar Daya Kebocoran Rendah

Gambar besar :  TIP117 Transistor Arus Tinggi, Transistor Saklar Daya Kebocoran Rendah

Detail produk:
Tempat asal: Shenzhen Cina
Nama merek: Hua Xuan Yang
Sertifikasi: RoHS、SGS
Nomor model: TIP117
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: 1000-2000 PCS
Harga: Negotiated
Kemasan rincian: Kotak
Waktu pengiriman: 1 - 2 minggu
Syarat-syarat pembayaran: L / CT / T Western Union
Menyediakan kemampuan: 18.000.000 PCS / Per Hari

TIP117 Transistor Arus Tinggi, Transistor Saklar Daya Kebocoran Rendah

Deskripsi
Mengetik: Triode Semikonduktor Transistor Mosfet daya: TO-220-3L Plastik - Dienkapsulasi
ID Produk: TIP117 Fitur: Keuntungan Arus DC Tinggi
Arus Kolektor: -2A Pembuangan Daya Kolektor: 2W
Cahaya Tinggi:

komponen elektronik triode

,

sakelar semikonduktor

TO-220-3L Plastik - Transkapsulasi Transistor TIP117 DARLINGTON TRANSISTOR (NPN)

FITUR
  • Keuntungan Arus DC Tinggi
  • Tegangan Saturasi Kolektor-Emitor Rendah
  • Pelengkap untuk TIP112

PERINGKAT MAKSIMUM (Ta = 25 ℃ kecuali dinyatakan lain)

Simbol Parameter Nilai Satuan
V CBO Tegangan Kolektor-Basis -100 V
V CEO Tegangan Kolektor-Emitor -100 V
V EBO Tegangan Basis Emitor -5 V
Saya C. Arus Kolektor -2 SEBUAH
P C Pembuangan Daya Kolektor 2 W
R θ JA Perlawanan Termal Dari Persimpangan Hingga Sekitar 63 ℃ / W
T j Suhu persimpangan 150
T stg Suhu penyimpanan -55 ~ + 150

KARAKTERISTIK LISTRIK (Ta = 25 ℃ kecuali ditentukan lain)

Parameter Simbol Kondisi pengujian Min Ketik Maks Satuan
Tegangan rusak kolektor-basis V (BR) CBO I C = -1mA, I E = 0 -100 V
Tegangan rusak kolektor-emitor V (BR) CEO * I C = -30mA, I B = 0 -100 V
Tegangan gangguan basis emitor V (BR) EBO I E = -5mA, I C = 0 -5 V
Arus cut-off kolektor ICBO V CB = -100V, I E = 0 -1 ma
Arus cut-off kolektor ICEO V CE = -50V, I B = 0 -2 ma
Arus cut emitor IEBO V EB = -5V, I C = 0 -2 ma

Keuntungan arus DC

hFE (1) V CE = -4V, I C = -1A 1000 12000
hFE (2) V CE = -4V, I C = -2A 500
Tegangan saturasi kolektor-emitor VCE (sat) I C = -2A, I B = -8mA -2,5 V
Tegangan basis-emitor VBE V CE = -4V, I C = -2A -2.8 V
Kapasitansi keluaran kolektor Tongkol V CB = -10V, I E = 0, f = 0,1MHz 200 pF

Dimensi Garis Besar Paket TO-220-3L

Simbol Dimensi Dalam Milimeter Dimensi Dalam Inci
Min Maks Min Maks
SEBUAH 4.470 4.670 0,176 0,184
A1 2.520 2.820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1.170 1.370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1.170 1.370 0,046 0,054
D 10.010 10.310 0,394 0,406
E 8.500 8.900 0,335 0,350
E1 12.060 12.460 0,475 0,491
e 2.540 TYP 0,100 TYP
e1 4.980 5.180 0,196 0,204
F 2.590 2.890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L. 13.400 13.800 0,528 0,543
L1 3.560 3.960 0,140 0,156
Φ 3.735 3.935 0,147 0,155

TO-220-3L Transistor Plastik-Enkapsulasi TIP42 / 42A / 42B / 42C TRANSISTOR (PNP)


Rincian kontak
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Kontak Person: David

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)

Tinggalkan pesan

Kami akan segera menghubungi Anda kembali!