1.25W NPN D882 Tip Transistor Daya TO-251-3L Plastik - Transkapsulasi Transistor

Name: 1.25W NPN D882 Tip Transistor Daya TO-251-3L Plastik - Transkapsulasi Transistor
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: D882

Semua produk

transistor MOSFET daya
(118)

Tip Power Transistor
(30)

Transistor Daya Silikon
(19)

Dual Switching Diode
(15)

Mos Field Effect Transistor
(29)

MOSFET Saluran Ganda
(10)

Diode Pemulihan Cepat Penyearah
(6)

Dioda Daya Zener
(6)

Schottky Bridge Rectifier
(10)

Diode Penyearah Tegangan Tinggi
(15)

Triode Semikonduktor
(9)

IC Stabilizer Tegangan
(14)

Sertifikasi

Ulasan pelanggan

kami bekerja sama dengan Hua Xuan Yang sebagian besar karena profesionalisme mereka, tanggapan mereka yang tajam terhadap penyesuaian produk yang kami butuhkan, penyelesaian semua kebutuhan kami dan, di atas semua itu, Mereka menyediakan layanan berkualitas.

—— —— Jason dari Kanada

Di bawah rekomendasi teman saya, kami tahu tentang Hua Xuan Yang, seorang ahli senior dalam industri komponen semikonduktor dan elektronik, yang telah memungkinkan kami untuk mengurangi waktu berharga kami dan tidak harus berani mencoba pabrik lain.

—— —— Виктор dari Rusia

I 'm Online Chat Now

1.25W NPN D882 Tip Transistor Daya TO-251-3L Plastik - Transkapsulasi Transistor

Gambar besar : 1.25W NPN D882 Tip Transistor Daya TO-251-3L Plastik - Transkapsulasi Transistor

Detail produk:

Tempat asal:	Shenzhen Cina
Nama merek:	Hua Xuan Yang
Sertifikasi:	RoHS、SGS
Nomor model:	D882

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order:	1000-2000 PCS
Harga:	Negotiated
Kemasan rincian:	Kotak
Waktu pengiriman:	1 - 2 minggu
Syarat-syarat pembayaran:	L / CT / T Western Union
Menyediakan kemampuan:	18.000.000 PCS / Per Hari

Kontak

1.25W NPN D882 Tip Transistor Daya TO-251-3L Plastik - Transkapsulasi Transistor

Deskripsi

PC:	1.25W	Suhu Junction:	150 ℃
Suhu Penyimpanan:	-55-150 ℃	Transistor Mosfet daya:	TO-251-3L Plastik-Enkapsulasi
Bahan:	Silicon	Mengetik:	Transistor Triode
Cahaya Tinggi:	tip pnp transistor , transistor pnp daya tinggi

TO-251-3L Plastik-Enkapsulasi Transistor D882 TRANSISTOR (NPN)

FITUR

Disipasi daya

PERINGKAT MAKSIMUM (T _a = 25 Š kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	Nilai	Satuan
V CBO	Tegangan Kolektor-Basis	40	V
V CEO	Tegangan Kolektor-Emitor	30	V
V EBO	Tegangan Basis Emitor	6	V
Saya _C.	Kolektor Lancar -Terus-menerus	3	SEBUAH
P _C	Pembuangan Daya Kolektor	1.25	W
T _J	Suhu persimpangan	150	℃
T stg	Suhu penyimpanan	-55-150	℃

KARAKTERISTIK LISTRIK

T a = 25 Š kecuali ditentukan lain

Parameter	Simbol	Kondisi pengujian	Min	Ketik	Maks	Satuan
Tegangan rusak kolektor-basis	V (BR) _CBO	I _C = 100μA, I _E = 0	40			V
Tegangan rusak kolektor-emitor	V (BR) _CEO	I _C = 10mA, I _B = 0	30			V
Tegangan gangguan basis emitor	V (BR) _EBO	I _E = 100μA, I _C = 0	6			V
Arus cut-off kolektor	ICBO	V _CB = 40 V, I _E = 0			1	μA
Arus cut-off kolektor	ICEO	V _CE = 30 V, I _B = 0			10	μA
Arus cut emitor	IEBO	V _EB = 6 V, I _C = 0			1	μA
Keuntungan arus DC	hFE	V _CE = 2 V, I _C = 1A	60		400
Tegangan saturasi kolektor-emitor	VCE (sat)	I _C = 2A, I _B = 0,2 A			0,5	V
Tegangan saturasi basis-emitor	VBE (sat)	I _C = 2A, I _B = 0,2 A			1.5	V
Frekuensi transisi	f _T	V _CE = 5V, I _C = 0,1A f = 10MHz		90		MHz