Rumah ProdukTip Power Transistor

3DD13001B NPN Tip Transistor Daya Ke-92 Plastik Dienkapsulasi VCEO 420V

Sertifikasi
Cina Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikasi
Cina Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikasi
Ulasan pelanggan
kami bekerja sama dengan Hua Xuan Yang sebagian besar karena profesionalisme mereka, tanggapan mereka yang tajam terhadap penyesuaian produk yang kami butuhkan, penyelesaian semua kebutuhan kami dan, di atas semua itu, Mereka menyediakan layanan berkualitas.

—— —— Jason dari Kanada

Di bawah rekomendasi teman saya, kami tahu tentang Hua Xuan Yang, seorang ahli senior dalam industri komponen semikonduktor dan elektronik, yang telah memungkinkan kami untuk mengurangi waktu berharga kami dan tidak harus berani mencoba pabrik lain.

—— —— Виктор dari Rusia

I 'm Online Chat Now

3DD13001B NPN Tip Transistor Daya Ke-92 Plastik Dienkapsulasi VCEO 420V

3DD13001B NPN Tip Transistor Daya Ke-92 Plastik Dienkapsulasi VCEO 420V
3DD13001B NPN Tip Transistor Daya Ke-92 Plastik Dienkapsulasi VCEO 420V

Gambar besar :  3DD13001B NPN Tip Transistor Daya Ke-92 Plastik Dienkapsulasi VCEO 420V

Detail produk:
Tempat asal: Shenzhen Cina
Nama merek: Hua Xuan Yang
Sertifikasi: RoHS、SGS
Nomor model: 3DD13001B
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: 1000-2000 PCS
Harga: Negotiated
Kemasan rincian: Kotak
Waktu pengiriman: 1 - 2 minggu
Syarat-syarat pembayaran: L / CT / T Western Union
Menyediakan kemampuan: 18.000.000 PCS / Per Hari

3DD13001B NPN Tip Transistor Daya Ke-92 Plastik Dienkapsulasi VCEO 420V

Deskripsi
PC: 0.75W VCEO: 420V
VCBO: 600V Nama Produk: tipe triode semikonduktor
TJ: 150℃ Mengetik: Transistor Triode
Cahaya Tinggi:

transistor pnp tip

,

transistor seri tip

TO-92 Transistor Plastik-Enkapsulasi 3DD13001B TRANSISTOR (NPN)

FITUR

Ÿ aplikasi pemindahan daya

MARKING

13001 = Kode perangkat

S 6B = Kode

MEMINTA INFORMASI

Nomor bagian Paket Metode pengepakan Jumlah paket
3DD13001B Ke-92 Jumlah besar 1000 pcs / Tas
3DD13001B-TA Ke-92 Tape 2000 pcs / kotak


PERINGKAT MAKSIMUM (T a = 25 Š kecuali dinyatakan lain)

Simbol Parameter Nilai Satuan
V CBO Kolektor - Tegangan Dasar 600 V
V CEO Tegangan Kolektor-Emitor 420 V
V EBO Tegangan Basis Emitor 7 V
Saya C. Kolektor Lancar -Terus-menerus 0,2 SEBUAH
P C Pembuangan Daya Kolektor 0,75 W
T J Suhu persimpangan 150
T stg Suhu penyimpanan -55 ~ 150


KARAKTERISTIK LISTRIK

T a = 25 Š kecuali ditentukan lain


Parameter Simbol Kondisi pengujian Min Ketik Maks Satuan
Tegangan rusak kolektor-basis V (BR) CBO I C = 100μA, I E = 0 600 V
Tegangan rusak kolektor-emitor V (BR) CEO I C = 1mA, I B = 0 400 V
Tegangan gangguan basis emitor V (BR) EBO I E = 100μA, I C = 0 7 V
Arus cut-off kolektor ICBO V CB = 600V, I E = 0 100 μA
Arus cut-off kolektor ICEO V CE = 400V, I B = 0 200 μA
Arus cut emitor IEBO V EB = 7V, I C = 0 100 μA

Keuntungan arus DC

hFE (1) V CE = 20V, I C = 20mA 14 29
hFE (2) V CE = 10V, I C = 0,25 mA 5
Tegangan saturasi kolektor-emitor VCE (sat) I C = 50mA, I B = 10 mA 0,5 V
Tegangan saturasi basis-emitor VBE (sat) I C = 50 mA, I B = 10mA 1.2 V
Frekuensi transisi f T

V CE = 20V, I C = 20mA

f = 1MHz

8 MHz
Waktu jatuh t f

I C = 50mA, I B1 = -I B2 = 5mA, V CC = 45V

0,3 μs
Waktu penyimpanan t S 1.5 μs


KLASIFIKASI H FE (2)

Jarak 14-17 17-20 20-23 23-26 26-29

Ke-92 Dimensi Garis Paket

Simbol Dimensi Dalam Milimeter Dimensi Dalam Inci
Min Maks Min Maks
SEBUAH 3.300 3.700 0,130 0,146
A1 1.100 1.400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4.300 4,700 0,169 0,185
D1 3.430 0,135
E 4.300 4,700 0,169 0,185
e 1.270 TYP 0,050 TYP
e1 2.440 2.640 0,096 0,104
L. 14.100 14.500 0,555 0,571
Φ 1.600 0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015



Rincian kontak
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Kontak Person: David

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)

Tinggalkan pesan

Kami akan segera menghubungi Anda kembali!