3DD13005HD55 Tip Transistor Daya Tipe VCBO 600V Semiconductor Triode

Name: 3DD13005HD55 Tip Transistor Daya Tipe VCBO 600V Semiconductor Triode
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 3DD13005HD55

Semua produk

transistor MOSFET daya
(118)

Tip Power Transistor
(30)

Transistor Daya Silikon
(19)

Dual Switching Diode
(15)

Mos Field Effect Transistor
(29)

MOSFET Saluran Ganda
(10)

Diode Pemulihan Cepat Penyearah
(6)

Dioda Daya Zener
(6)

Schottky Bridge Rectifier
(10)

Diode Penyearah Tegangan Tinggi
(15)

Triode Semikonduktor
(9)

IC Stabilizer Tegangan
(14)

Sertifikasi

Ulasan pelanggan

kami bekerja sama dengan Hua Xuan Yang sebagian besar karena profesionalisme mereka, tanggapan mereka yang tajam terhadap penyesuaian produk yang kami butuhkan, penyelesaian semua kebutuhan kami dan, di atas semua itu, Mereka menyediakan layanan berkualitas.

—— —— Jason dari Kanada

Di bawah rekomendasi teman saya, kami tahu tentang Hua Xuan Yang, seorang ahli senior dalam industri komponen semikonduktor dan elektronik, yang telah memungkinkan kami untuk mengurangi waktu berharga kami dan tidak harus berani mencoba pabrik lain.

—— —— Виктор dari Rusia

I 'm Online Chat Now

3DD13005HD55 Tip Transistor Daya Tipe VCBO 600V Semiconductor Triode

Gambar besar : 3DD13005HD55 Tip Transistor Daya Tipe VCBO 600V Semiconductor Triode

Detail produk:

Tempat asal:	Shenzhen Cina
Nama merek:	Hua Xuan Yang
Sertifikasi:	RoHS、SGS
Nomor model:	3DD13005HD55

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order:	1000-2000 PCS
Harga:	Negotiated
Kemasan rincian:	Kotak
Waktu pengiriman:	1 - 2 minggu
Syarat-syarat pembayaran:	L / CT / T Western Union
Menyediakan kemampuan:	18.000.000 PCS / Per Hari

Kontak

3DD13005HD55 Tip Transistor Daya Tipe VCBO 600V Semiconductor Triode

Deskripsi

Pembuangan Daya Kolektor:	1.5W	Suhu Junction:	150 ℃
VCBO:	600V	Nama Produk:	tipe triode semikonduktor
Arus Kolektor:	3.5A	Mengetik:	Transistor Triode
Cahaya Tinggi:	transistor seri ujung , transistor pnp daya tinggi

TO-126 Plastik-Enkapsulasi Transistor 3DD13005HD55 TRANSISTOR (NPN)

FITUR

Ÿ Aplikasi Pengalihan Daya

Temperature Suhu tinggi baik

Voltage Tegangan saturasi rendah

Switching Perpindahan kecepatan tinggi

MARKING

Logo JCET 13005HD55 = Kode perangkat

MEMINTA INFORMASI

Nomor bagian	Paket	Metode pengepakan	Jumlah paket
3DD13005HD55	KE-126	Jumlah besar	200 pcs / Tas
3DD13005HD55-TU	KE-126	Tabung	60 pcs / tabung

PERINGKAT MAKSIMUM (T _a = 25 Š kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	Nilai	Satuan
V CBO	Tegangan Kolektor-Basis	800	V
V CEO	Tegangan Kolektor-Emitor	450	V
V EBO	Tegangan Basis Emitor	9	V
Saya _C.	Arus Kolektor	3.5	SEBUAH
P _C	Pembuangan Daya Kolektor	1.5	W
R θ JA	Perlawanan Termal Dari Persimpangan Hingga Sekitar	83.3	℃ / W
T _j	Suhu persimpangan	150	℃
T stg	Suhu penyimpanan	-55 ~ + 150	℃

KARAKTERISTIK LISTRIK

T a = 25 Š kecuali ditentukan lain

T a = 25 Š kecuali ditentukan lain

Parameter	Simbol	Kondisi pengujian	Min	Ketik	Maks	Satuan
Tegangan rusak kolektor-basis	V (BR) CBO	I _C = 1mA, I _E = 0	800			V
Tegangan rusak kolektor-emitor	V (BR) CEO *	I _C = 10mA, I _B = 0	450			V
Tegangan gangguan basis emitor	V (BR) EBO	I _E = 1mA, I _C = 0	9			V
Arus cut-off kolektor	ICBO	V _CB = 700V, I _E = 0			100	μA
Arus cut-off kolektor	ICEO	V _CE = 450V, I _B = 0			100	μA
Arus cut emitor	IEBO	V _EB = 9V, I _C = 0			100	μA
Keuntungan arus DC	hFE (1) *	V _CE = 5V, I _C = 1A	10		40
	hFE (2) *	V _CE = 5V, I _C = 5mA	10
	hFE (3) *	V _CE = 5V, I _C = 2A	5
Tegangan saturasi kolektor-emitor	VCE (sat) 1	I _C = 1A, I _B = 200mA			0,3	V
Tegangan saturasi kolektor-emitor	VCE (sat) 2	I _C = 2A, I _B = 500mA			0,6	V
Tegangan saturasi basis-emitor	VBE (sat) 1	I _C = 2A, I _B = 500mA			1.2	V
Tegangan saturasi basis-emitor	VBE (sat) 2	I _C = 500mA, I _B = 100mA			1	V
Tegangan maju emitor-kolektor	VF _EC	I _C = 2A			2	V
Frekuensi transisi	f _T	V _CE = 10V, I _C = 500mA	5			MHZ
Waktu penyimpanan	ts	I _C = 250mA (UI9600)			5	µs

Karakteristik Khas

Ke-92 Dimensi Garis Paket

Simbol	Dimensi Dalam Milimeter		Dimensi Dalam Inci
	Min	Maks	Min	Maks
SEBUAH	2.500	2.900	0,098	0,114
A1	1.100	1.500	0,043	0,059
b	0,660	0,860	0,026	0,034
b1	1.170	1.370	0,046	0,054
c	0,450	0,600	0,018	0,024
D	7.400	7.800	0,291	0,307
E	10.600	11.000	0,417	0,433
e	2.290 TYP		0,090 TYP
e1	4.480	4.680	0,176	0,184
h	0,000	0,300	0,000	0,012
L.	15.300	15.700	0,602	0,618
L1	2.100	2.300	0,083	0,091
P	3,900	4.100	0,154	0,161
Φ	3.000	3.200	0,118	0,126