Rumah Produk Tip Power Transistor

TO-252Tip Transistor Daya 3DD13002 Transistor NPN

Name: TO-252Tip Transistor Daya 3DD13002 Transistor NPN
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 3DD13002

Semua produk

transistor MOSFET daya
(118)

Tip Power Transistor
(30)

Transistor Daya Silikon
(19)

Dual Switching Diode
(15)

Mos Field Effect Transistor
(29)

MOSFET Saluran Ganda
(10)

Diode Pemulihan Cepat Penyearah
(6)

Dioda Daya Zener
(6)

Schottky Bridge Rectifier
(10)

Diode Penyearah Tegangan Tinggi
(15)

Triode Semikonduktor
(9)

IC Stabilizer Tegangan
(14)

Sertifikasi

Ulasan pelanggan

kami bekerja sama dengan Hua Xuan Yang sebagian besar karena profesionalisme mereka, tanggapan mereka yang tajam terhadap penyesuaian produk yang kami butuhkan, penyelesaian semua kebutuhan kami dan, di atas semua itu, Mereka menyediakan layanan berkualitas.

—— —— Jason dari Kanada

Di bawah rekomendasi teman saya, kami tahu tentang Hua Xuan Yang, seorang ahli senior dalam industri komponen semikonduktor dan elektronik, yang telah memungkinkan kami untuk mengurangi waktu berharga kami dan tidak harus berani mencoba pabrik lain.

—— —— Виктор dari Rusia

I 'm Online Chat Now

TO-252Tip Transistor Daya 3DD13002 Transistor NPN

Gambar besar : TO-252Tip Transistor Daya 3DD13002 Transistor NPN

Detail produk:

Tempat asal:	Shenzhen Cina
Nama merek:	Hua Xuan Yang
Sertifikasi:	RoHS、SGS
Nomor model:	3DD13002

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order:	1000-2000 PCS
Harga:	Negotiated
Kemasan rincian:	Kotak
Waktu pengiriman:	1 - 2 minggu
Syarat-syarat pembayaran:	L / CT / T Western Union
Menyediakan kemampuan:	18.000.000 PCS / Per Hari

Kontak

TO-252Tip Transistor Daya 3DD13002 Transistor NPN

Deskripsi

Suhu Penyimpanan:	-55 ~ 150 ℃	TJ:	150 ℃
Pembuangan Daya Kolektor:	1,25w	Nama Produk:	tipe triode semikonduktor
Arus Kolektor:	3.5A	Mengetik:	Transistor Triode
Cahaya Tinggi:	tip pnp transistor , transistor pnp daya tinggi

TO-251-3L / TO-252-2L Plastik-Enkapsulasi Transistor 3DD13002 TRANSISTOR (NPN)

FITUR

Aplikasi Pengalih Daya

PERINGKAT MAKSIMUM (T _a = 25 Š kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	Nilai	Satuan
V CBO	Kolektor - Tegangan Dasar	600	V
V CEO	Tegangan Kolektor-Emitor	400	V
V EBO	Tegangan Basis Emitor	6	V
Saya _C.	Kolektor Lancar -Terus-menerus	1	SEBUAH
P _C	Pembuangan Daya Kolektor	1.25	W
T _J	Suhu persimpangan	150	℃
T stg	Suhu penyimpanan	-55 ~ 150	℃

KARAKTERISTIK LISTRIK

T a = 25 Š kecuali ditentukan lain

T a = 25 Š kecuali ditentukan lain

Parameter	Simbol	Kondisi pengujian	Min	Ketik	Maks	Satuan
Tegangan rusak kolektor-basis	V (BR) CBO	I _C = 100μA, I _E = 0	600			V
Tegangan rusak kolektor-emitor	V (BR) CEO	I _C = 1mA, I _B = 0	400			V
Tegangan gangguan basis emitor	V (BR) EBO	I _E = 100μA, I _C = 0	6			V
Arus cut-off kolektor	ICBO	V _CB = 600V, I _E = 0			100	μA
	ICEO	V _CB = 400V, I _E = 0			100	μA
Arus cut emitor	IEBO	V _EB = 7V, I _C = 0			100	μA
Keuntungan arus DC	hFE1	V _CE = 10 V, I _C = 200mA	9		40
	hFE2	V _CE = 10 V, I _C = 0.25mA	5
Tegangan saturasi kolektor-emitor	V _CE (sat)	I _C = 200mA, I _B = 40mA			0,5	V
Tegangan saturasi basis-emitor	V _BE (sat)	I _C = 200mA, I _B = 40mA			1.1	V
Frekuensi transisi	f _T	V _CE = 10V, I _C = 100mA f = 1MHz	5			MHz
Waktu jatuh	t _f	I _C = 1A, I _B1 = -I _B2 = 0.2AV _CC = 100V			0,5	µs
Waktu penyimpanan	t _s				2.5	µs

KLASIFIKASI HFE1

Jarak

9-15

15-20

20-25

25-30

30-35

35-40

Karakteristik Khas

Ke-92 Dimensi Garis Paket

Simbol	Dimensi Dalam Milimeter		Dimensi Dalam Inci
	Min.	Maks.	Min.	Maks.
SEBUAH	2.200	2.400	0,087	0,094
A1	1.050	1.350	0,042	0,054
B	1.350	1.650	0,053	0,065
b	0,500	0,700	0,020	0,028
b1	0,700	0,900	0,028	0,035
c	0,430	0,580	0,017	0,023
c1	0,430	0,580	0,017	0,023
D	6.350	6.650	0,250	0,262
D1	5.200	5.400	0,205	0,213
E	5.400	5.700	0,213	0,224
e	2.300 TYP.		0,091 TYP.
e1	4.500	4,700	0,177	0,185
L.	7.500	7.900	0,295	0,311