|
Detail produk:
|
| Nama Produk: | transistor MOSFET daya | Mengetik: | transistor MOSFET |
|---|---|---|---|
| ID Produk: | 20G04S | VDS: | 40V |
| Fitur: | Paket pemasangan permukaan | VGS: | ± 20v |
| Cahaya Tinggi: | saklar MOSFET arus tinggi,transistor tegangan tinggi |
||
HXY4616 30V MOSFET Pelengkap
Deskripsi
HXY4616 menggunakan teknologi parit canggih untuk menyediakan RDS (ON) yang sangat baik dan biaya gerbang yang rendah. Konfigurasi MOSFET kanal N dan P pelengkap ini ideal untuk aplikasi inverter Tegangan Input rendah.
A. Nilai R θ JA diukur dengan perangkat yang dipasang pada 1in A = 25 ° C. Nilai dalam aplikasi apa pun tergantung pada desain papan spesifik pengguna. 2 papan FR-4 dengan 2oz. Tembaga, di lingkungan yang tenang dengan T
B. Disipasi daya P D didasarkan pada TJ (MAX) = 150 ° C, menggunakan ≤ 10s junction-to-ambient thermal resistance. C. Peringkat berulang, lebar pulsa dibatasi oleh suhu persimpangan TJ (MAX) = 150 ° C. Peringkat didasarkan pada frekuensi rendah dan siklus tugas untuk menjaga initialT J = 25 ° C.
D. R θ JA adalah jumlah dari impedans termal dari persimpangan untuk mengarah R θ JL dan mengarah ke sekitar.
E. Karakteristik statis pada Gambar 1 sampai 6 diperoleh dengan menggunakan pulsa <300μs, siklus kerja maks 0,5%.
F. Kurva ini didasarkan pada impedansi termal junction-to-ambient yang diukur dengan perangkat yang dipasang di papan 1in 2 FR-4 dengan 2oz. Tembaga, dengan asumsi suhu persimpangan maksimum TJ (MAX) = 150 ° C. Kurva SOA menyediakan ratn pulsa tunggal g.
Kontak Person: David
