HXY4410 N Type Transistor Loading Switching Untuk Aplikasi Portable

Ringkasan Produk

V _DS (V) = 30V

I = 18A

D

^R DS (ON) ^{< 11m Ω (V} _GS = 10V)

R _{DS (ON)} <19m Ω (V _GS = 4.5V)

Gambaran umum

HXY4410 menggunakan teknologi parit canggih untuk

memberikan RDS (ON) yang sangat baik, kekebalan tembak,

karakteristik dioda tubuh dan gerbang ultra-rendah

perlawanan. Perangkat ini sangat ideal untuk digunakan sebagai perangkat

saklar sisi rendah pada daya inti CPU Notebook

konversi.

Karakteristik Listrik (T = 25 ° C kecuali dinyatakan lain)

A. Nilai R _{θ JA} diukur dengan perangkat yang dipasang di papan 1in ² FR-4 dengan 2oz. Tembaga, di lingkungan yang tenang dengan T _A = 25 ° C. Itu

nilai dalam aplikasi apa pun tergantung pada desain papan spesifik pengguna.

B. Disipasi daya P _D didasarkan pada _{TJ (MAX)} = 150 ° C, menggunakan resistensi termal persimpangan-ke-ambien ≤ 10s.

C. Peringkat berulang, lebar pulsa dibatasi oleh suhu persimpangan _{TJ (MAX)} = 150 ° C. Peringkat didasarkan pada frekuensi rendah dan siklus tugas yang harus dijaga

initialT = 25 ° C.

D. R _{θ JA} adalah jumlah dari impedansi termal dari persimpangan untuk mengarah R _{θ JL} dan mengarah ke sekitar.

E. Karakteristik statis pada Gambar 1 sampai 6 diperoleh dengan menggunakan pulsa <300μs, siklus kerja maks 0,5%.

F. Kurva ini didasarkan pada impedansi termal junction-to-ambient yang diukur dengan perangkat yang dipasang pada papan 1in ² FR-4 dengan

2 oz. Tembaga, dengan asumsi suhu persimpangan maksimum TJ _(MAX) = 150 ° C. Kurva SOA memberikan peringkat pulsa tunggal.

G. Siklus lonjakan tugas 5% maks, dibatasi oleh suhu persimpangan TJ (MAX) = 125 ° C.

KARAKTERISTIK LISTRIK DAN TERMAL KHAS