Quote request suatu |
Rumah ProdukSchottky Bridge Rectifier

MBR3060CT / MBR3060FCT Schottky Barrier Rectifier Diode Kemampuan Gelombang Tinggi

Semua produk

transistor MOSFET daya

(118)

Tip Power Transistor

(30)

Transistor Daya Silikon

(19)

Dual Switching Diode

(15)

Mos Field Effect Transistor

(29)

MOSFET Saluran Ganda

(10)

Diode Pemulihan Cepat Penyearah

(6)

Dioda Daya Zener

(6)

Schottky Bridge Rectifier

(10)

Diode Penyearah Tegangan Tinggi

(15)

Triode Semikonduktor

(9)

IC Stabilizer Tegangan

(14)
Sertifikasi
Cina Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikasi
Cina Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikasi
Ulasan pelanggan
kami bekerja sama dengan Hua Xuan Yang sebagian besar karena profesionalisme mereka, tanggapan mereka yang tajam terhadap penyesuaian produk yang kami butuhkan, penyelesaian semua kebutuhan kami dan, di atas semua itu, Mereka menyediakan layanan berkualitas.

—— —— Jason dari Kanada

Di bawah rekomendasi teman saya, kami tahu tentang Hua Xuan Yang, seorang ahli senior dalam industri komponen semikonduktor dan elektronik, yang telah memungkinkan kami untuk mengurangi waktu berharga kami dan tidak harus berani mencoba pabrik lain.

—— —— Виктор dari Rusia

I 'm Online Chat Now

MBR3060CT / MBR3060FCT Schottky Barrier Rectifier Diode Kemampuan Gelombang Tinggi

MBR3060CT / MBR3060FCT Schottky Barrier Rectifier Diode Kemampuan Gelombang Tinggi
MBR3060CT / MBR3060FCT Schottky Barrier Rectifier Diode Kemampuan Gelombang Tinggi MBR3060CT / MBR3060FCT Schottky Barrier Rectifier Diode Kemampuan Gelombang Tinggi

Gambar besar :  MBR3060CT / MBR3060FCT Schottky Barrier Rectifier Diode Kemampuan Gelombang Tinggi

Detail produk:
Tempat asal: Shenzhen Cina
Nama merek: Hua Xuan Yang
Sertifikasi: RoHS、SGS
Nomor model: MBR3060CT / MBR3060FCT
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: 1000-2000 PCS
Harga: Negotiated
Kemasan rincian: Kotak
Waktu pengiriman: 1 - 2 minggu
Syarat-syarat pembayaran: L / CT / T Western Union
Menyediakan kemampuan: 18.000.000 PCS / Per Hari
Kontak

MBR3060CT / MBR3060FCT Schottky Barrier Rectifier Diode Kemampuan Gelombang Tinggi

Deskripsi
Transistor Mosfet daya: TO-220-3L Diode Enkapsulasi Plastik Mengetik: Schottky Barrier Chip
Penggunaan: Inverter Frekuensi Tinggi Tegangan balik RMS: 42v
ID Produk: MBR3060CT Bekerja tegangan balik puncak: 60V
Cahaya Tinggi:

schottky diode bridge rectifier

,

schottky barrier rectifier diode

MBR3060CT / MBR3060FCT TO-220-3L Diode Enkapsulasi Plastik


FITUR
Schottky Barrier Chip
Kehilangan Daya Rendah, Efisiensi Tinggi
Konstruksi Pelindung Ring Die untuk Perlindungan Sementara
Kemampuan Gelombang Tinggi
Kemampuan Arus Tinggi dan Penurunan Tegangan Rendah Maju
Untuk Digunakan dalam Tegangan Rendah, Inverter Frekuensi Tinggi, Pemutaran Gratis,
dan Aplikasi Perlindungan Polaritas
MAKSIMUMRAT (Ta = 25 ℃ kecuali dinyatakan lain)
ELECTRICALCHARACTERISTICSICS (Ta = 25 ℃ kecuali jika suara lainnya ditentukan)
Karakteristik Khas

Label:

schottky barrier rectifier diode,

schottky diode bridge rectifier,

tentukan schottky diode

Rincian kontak
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Kontak Person: David

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)

Tentang

transistor MOSFET daya

HXY4616 Logic Level Transistor, Transistor Tegangan Tinggi 30V MOSFET Pelengkap

HXY4616 Mosfet Power Transistor ± 20v VGS Tegangan Tinggi VDS 40V VGS ± 20v

20G04S 40V Mosfet Power Transistor N + P Mode Peningkatan Saluran MOSFET

Tinggalkan pesan

Kebijakan pribadi | Cina Bagus kualitas transistor MOSFET daya pemasok. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Tinggalkan pesan

Kami akan segera menghubungi Anda kembali!