|
Detail produk:
|
Nomor model: | AP2302AGN-HF | Status RoHs:: | Bebas timah / Sesuai RoHS |
---|---|---|---|
Kualitas:: | 100% asli baru | D / C:: | terbaru |
Deskripsi: | AP2302AGN-HF APEC | Tipe:: | IC |
Cahaya Tinggi: | IC Transistor Daya 1,38W,IC Transistor Daya 20A |
IC Panas Khusus AP2302AGN-HF APEC AP2302AGN-HF
Deskripsi
Seri AP2302A berasal dari desain inovatif Advanced Power dan teknologi proses silikon untuk mencapai ketahanan serendah mungkin dan kinerja peralihan cepat.Ini memberi desainer perangkat yang sangat efisien untuk digunakan dalam berbagai aplikasi daya.
Paket SOT-23 desain khusus dengan kinerja termal yang baik secara luas lebih disukai untuk semua aplikasi pemasangan permukaan industri komersial menggunakan teknik reflow inframerah dan cocok untuk konversi tegangan atau aplikasi sakelar.
Peringkat Maksimal Mutlak @ Tj= 25HaiC (kecuali ditentukan lain)
Simbol | Parameter | Peringkat | Unit |
VDS | Tegangan Sumber Pembuangan | 20 | V. |
VGS | Tegangan Sumber Gerbang | +8 | V. |
sayaD@TSEBUAH= 25 ℃ | Tiriskan Arus3, VGS @ 4.5V | 4.6 | SEBUAH |
sayaD@TSEBUAH= 70 ℃ | Tiriskan Arus3, VGS @ 4.5V | 3.7 | SEBUAH |
IDM | Tiriskan Arus Berdenyut1 | 20 | SEBUAH |
P.D@TSEBUAH= 25 ℃ | Total Pembuangan Daya | 1.38 | W |
TSTG | kisaran suhu penyimpanan | -55 hingga 150 | ℃ |
TJ | Kisaran Suhu Persimpangan Operasi | -55 hingga 150 | ℃ |
Data Termal
Simbol | Parameter | Nilai | Satuan |
Rthj-a | Ketahanan Termal Maksimum, Persimpangan ambien3 | 90 | ℃ / W. |
AP2302AGN-H
Karakteristik Listrik @ Tj= 25HaiC (kecuali ditentukan lain)
Simbol | Parameter | Kondisi Tes | Min. | Typ. | Max. | Unit |
BVDSS | Tegangan Kerusakan Sumber Drain | V.GS= 0V, sayaD= 250uA | 20 | - | - | V. |
RDS (AKTIF) |
Static Drain-Source On-Resistance2 |
V.GS= 4,5V, sayaD= 4A | - | - | 42 | mΩ |
V.GS= 2.5V, sayaD= 3A | - | - | 60 | mΩ | ||
VGS (th) | Tegangan Ambang Gerbang | V.DS= VGS, SayaD= 250uA | 0.3 | - | 1.2 | V. |
gfs | Teruskan Transkonduktansi | V.DS= 5V, sayaD= 4A | - | 14 | - | S |
IDSS | Arus Kebocoran Sumber Drain | V.DS= 16V, V.GS= 0V | - | - | 10 | uA |
IGSS | Kebocoran Sumber Gerbang | V.GS=+8V, VDS= 0V | - | - | +100 | nA |
Qg | Total Biaya Gerbang2 |
sayaD= 4A VDS= 10V V.GS= 4.5V |
- | 6.5 | 10.5 | nC |
Qgs | Biaya Gerbang-Sumber | - | 1 | - | nC | |
Qgd | Charge Gate-Drain ("Miller") | - | 2.5 | - | nC | |
td (hidup) | Nyalakan Waktu Tunda2 |
V.DS= 10V ID= 1A RG= 3,3Ω V.GS= 5V |
- | 9 | - | ns |
tr | Rise Time | - | 12 | - | ns | |
td (mati) | Matikan Waktu Tunda | - | 16 | - | ns | |
tf | Waktu Musim Gugur | - | 5 | - | ns | |
Ciss | Kapasitansi masukan |
V.GS= 0V VDS= 20V f = 1.0MHz |
- | 300 | 480 | pF |
Coss | Kapasitansi Output | - | 85 | - | pF | |
Crss | Membalikkan Kapasitansi Transfer | - | 80 | - | pF | |
Rg | Resistensi Gerbang | f = 1.0MHz | - | 2 | - | Ω |
Sumber-Drain Diode
Simbol | Parameter | Kondisi Tes | Min. | Typ. | Max. | Unit |
VSD | Maju Pada Tegangan2 | sayaS= 1.2A, VGS= 0V | - | - | 1.2 | V. |
trr | Membalik Waktu Pemulihan2 |
sayaS= 4A, VGS= 0V, dI / dt = 100A / µs |
- | 20 | - | ns |
Qrr | Balikkan Biaya Pemulihan | - | 10 | - | nC |
Catatan:
1. lebar pulsa dibatasi oleh Max.suhu persimpangan.
2. Tes pulsa
3. Permukaan dipasang pada 1 in2 bantalan tembaga dari papan FR4, t <10 dtk;270 ℃ / W saat dipasang di min.bantalan tembaga.
Pembayaran:
Kami menerima syarat pembayaran: Transfer Bank (T / T) di muka / PayPal / Western Union / Escrow sevice atau istilah Net (kerjasama jangka panjang).
Kami dapat mendukung berbagai jenis mata uang, seperti USD;HKD;EUR;CNY dan Lainnya, silakan hubungi kami.
Kontak Person: David