|
Detail produk:
|
Nomor model:: | AP2308GEN | Kondisi:: | baru dan asli |
---|---|---|---|
Tipe:: | Drive IC | Aplikasi:: | Produk elektronik |
D / C:: | Baru | Lembaran data:: | tolong hubungi kami |
Cahaya Tinggi: | SOT-23 Mosfet Power Transistor,3.6A Mosfet Power Transistor,0.69W MOSFET Transistor |
Komponen Elektronik AP2308GEN SOT-23 Harga Keunggulan Untuk Stok Asli
Deskripsi
Advanced Power MOSFET menggunakan teknik pemrosesan tingkat lanjut untuk mencapai perangkat dengan resistansi serendah mungkin, sangat efisien, dan hemat biaya.
Paket SOT-23S sangat disukai untuk aplikasi pemasangan permukaan industri komersial dan cocok untuk aplikasi tegangan rendah seperti konverter DC / DC.
Peringkat Maksimal Mutlak @ Tj= 25HaiC (kecuali ditentukan lain)
Simbol | Parameter | Peringkat | Unit |
VDS | Tegangan Sumber Pembuangan | 20 | V. |
VGS | Tegangan Sumber Gerbang | +8 | V. |
sayaD@TSEBUAH= 25 ℃ | Tiriskan Arus3, VGS @ 4.5V | 1.2 | SEBUAH |
sayaD@TSEBUAH= 70 ℃ | Tiriskan Arus3, VGS @ 4.5V | 1 | SEBUAH |
IDM | Tiriskan Arus Berdenyut1 | 3.6 | SEBUAH |
P.D@TSEBUAH= 25 ℃ | Total Pembuangan Daya | 0.69 | W |
TSTG | kisaran suhu penyimpanan | -55 hingga 150 | ℃ |
TJ | Kisaran Suhu Persimpangan Operasi | -55 hingga 150 | ℃ |
Data Termal
Simbol | Parameter | Nilai | Satuan |
Rthj-a | Ketahanan Termal Maksimum, Persimpangan ambien3 | 180 | ℃ / W. |
AP2308GE
Karakteristik Listrik @ Tj= 25HaiC (kecuali ditentukan lain)
Simbol | Parameter | Kondisi Tes | Min. | Typ. | Max. | Unit |
BVDSS | Tegangan Kerusakan Sumber Drain | V.GS= 0V, sayaD= 250uA | 20 | - | - | V. |
RDS (AKTIF) | Static Drain-Source On-Resistance2 | V.GS= 4,5V, sayaD= 1.2A | - | - | 600 | mΩ |
V.GS= 2.5V, sayaD= 0,3A | - | - | 2 | Ω | ||
VGS (th) | Tegangan Ambang Gerbang | V.DS= VGS, SayaD= 250uA | 0,5 | - | 1.25 | V. |
gfs | Teruskan Transkonduktansi | V.DS= 5V, sayaD= 1.2A | - | 1 | - | S |
IDSS | Arus Kebocoran Sumber Drain | V.DS= 20V, V.GS= 0V | - | - | 1 | uA |
IGSS | Kebocoran Sumber Gerbang | V.GS=+8V, VDS= 0V | - | - | +30 | uA |
Qg | Total Biaya Gerbang |
sayaD= 1.2AVDS= 16V V.GS= 4.5V |
- | 1.2 | 2 | nC |
Qgs | Biaya Gerbang-Sumber | - | 0.4 | - | nC | |
Qgd | Charge Gate-Drain ("Miller") | - | 0.3 | - | nC | |
td (hidup) | Nyalakan Waktu Tunda |
V.DS= 10V ID= 1.2ARG= 3,3Ω V.GS= 5V |
- | 17 | - | ns |
tr | Rise Time | - | 36 | - | ns | |
td (mati) | Matikan Waktu Tunda | - | 76 | - | ns | |
tf | Waktu Musim Gugur | - | 73 | - | ns | |
Ciss | Kapasitansi masukan |
V.GS= 0V .VDS= 10V f = 1.0MHz |
- | 37 | 60 | pF |
Coss | Kapasitansi Output | - | 17 | - | pF | |
Crss | Membalikkan Kapasitansi Transfer | - | 13 | - | pF |
Sumber-Drain Diode
Simbol | Parameter | Kondisi Tes | Min. | Typ. | Max. | Unit |
VSD | Maju Pada Tegangan2 | sayaS= 1.2A, VGS= 0V | - | - | 1.2 | V. |
Catatan:
1. lebar pulsa dibatasi oleh Max.suhu persimpangan.
2. Tes pulsa
3. Permukaan dipasang pada 1 in2 bantalan tembaga dari papan FR4, t <10 dtk;400 ℃ / W saat dipasang di min.bantalan tembaga.
Item: AP2308GEN Baru
Nomor bagian: AP2308GEN
Paket: Komponen elektronik
Komponen Elektronik: AP2308GEN
Terima kasih telah memilih produk kami dengan sangat baik.
Kami akan memberi Anda produk dengan kualitas terbaik dan paling hemat biaya.
Tujuan kami adalah menyempurnakan kualitas produk untuk bisnis jangka panjang.
Jadi, yakinlah untuk memilih, silakan hubungi kami jika ada pertanyaan.
Kontak Person: David