Rumah Produk Mos Field Effect Transistor

P Channel N Type Transistor, 19P03 DUV MOSFET Daya Tegangan Tinggi

Name: P Channel N Type Transistor, 19P03 DUV MOSFET Daya Tegangan Tinggi
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 19P03 DUV

Semua produk

transistor MOSFET daya
(118)

Tip Power Transistor
(30)

Transistor Daya Silikon
(19)

Dual Switching Diode
(15)

Mos Field Effect Transistor
(29)

MOSFET Saluran Ganda
(10)

Diode Pemulihan Cepat Penyearah
(6)

Dioda Daya Zener
(6)

Schottky Bridge Rectifier
(10)

Diode Penyearah Tegangan Tinggi
(15)

Triode Semikonduktor
(9)

IC Stabilizer Tegangan
(14)

Sertifikasi

Ulasan pelanggan

kami bekerja sama dengan Hua Xuan Yang sebagian besar karena profesionalisme mereka, tanggapan mereka yang tajam terhadap penyesuaian produk yang kami butuhkan, penyelesaian semua kebutuhan kami dan, di atas semua itu, Mereka menyediakan layanan berkualitas.

—— —— Jason dari Kanada

Di bawah rekomendasi teman saya, kami tahu tentang Hua Xuan Yang, seorang ahli senior dalam industri komponen semikonduktor dan elektronik, yang telah memungkinkan kami untuk mengurangi waktu berharga kami dan tidak harus berani mencoba pabrik lain.

—— —— Виктор dari Rusia

I 'm Online Chat Now

P Channel N Type Transistor, 19P03 DUV MOSFET Daya Tegangan Tinggi

Gambar besar : P Channel N Type Transistor, 19P03 DUV MOSFET Daya Tegangan Tinggi

Detail produk:

Tempat asal:	Shenzhen Cina
Nama merek:	Hua Xuan Yang
Sertifikasi:	RoHS、SGS
Nomor model:	19P03 DUV

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order:	Negosiasi
Harga:	Negotiated
Kemasan rincian:	Kotak
Waktu pengiriman:	1 - 2 minggu
Syarat-syarat pembayaran:	L / CT / T Western Union
Menyediakan kemampuan:	18.000.000 PCS / Per Hari

Kontak

P Channel N Type Transistor, 19P03 DUV MOSFET Daya Tegangan Tinggi

Deskripsi

Nama Produk:	N Type Transistor	Tegangan Sumber Drain V DSS:	-30 V
Tegangan Sumber Gerbang V GSS:	± 20 V	TJ Maksimum Persimpangan Suhu:	150 ° C
T STG Kisaran Suhu Penyimpanan:	-55 hingga 150 ° C	Sumber IS Current-Continuous (Body Diode):	-90 A
Cahaya Tinggi:	logika MOSFET switch , MOSFET driver menggunakan transistor

P Channel N Type Transistor, 19P03 DUV MOSFET Daya Tegangan Tinggi

N Jenis Pendahuluan Transistor

Power MOSFET adalah jenis khusus dari transistor efek medan semikonduktor oksida logam. Ini dirancang khusus untuk menangani kekuatan tingkat tinggi. Kekuatan MOSFET dibangun dalam konfigurasi V. Oleh karena itu, ini juga disebut sebagai V-MOSFET, VFET. Simbol kekuatan N-channel & P-channel MOSFET ditunjukkan pada gambar di bawah ini.

Fitur Transistor Tipe N

-30V / -90A
R DS (ON) = 4.8mΩ (typ.) @V GS = 10V
R DS (ON) = 6.5mΩ (typ.) @V GS = 4.5V
100% longsoran salju diuji
Andal dan Kasar
Perangkat Bebas Timah dan Hijau
Tersedia (RoHS Compliant)

Aplikasi Transistor Tipe N

Berpindah aplikasi

Manajemen Daya untuk Sistem Inverter.

Informasi Pemesanan dan Penandaan

DUV
19P03 19P03 19P03
YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G
Kode Paket
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S
Bahan Majelis Kode Tanggal
YYXXX WW G: Bebas Halogen

Catatan: Produk bebas timah HUAYI mengandung senyawa cetakan / die attach material dan plat timah matte 100%
Termi-Nation selesai, yang sepenuhnya sesuai dengan RoHS. Produk bebas timah HUAYI memenuhi atau melampaui timbal
Persyaratan yang diperlukan dari IPC / JEDEC J-STD-020 untuk klasifikasi MSL pada suhu puncak reflow bebas timbal.
HUAYI mendefinisikan "Hijau" berarti bebas timah (sesuai RoHS) dan bebas halogen (Br atau Cl tidak melebihi
900ppm berat dalam bahan homogen dan total Br dan Cl tidak melebihi 1500ppm berat).
HUAYI berhak untuk melakukan perubahan, koreksi, peningkatan, modifikasi, dan perbaikan
dokumen ini dan / atau dokumen ini setiap saat tanpa pemberitahuan.

Peringkat Maksimum Mutlak

Catatan: * Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh suhu persimpangan maks.
** Permukaan dipasang di papan FR-4.
*** Terbatas oleh TJ maks, mulai TJ = 25 ° C, L = 0.3mH, RG = 25Ω, V GS = 10V.

Karakteristik Listrik (Tc = 25 ° C Kecuali Dinyatakan Lain)