|
Detail produk:
|
Nomor bagian: | AP1334GEU-HF | Lead time: | persediaan |
---|---|---|---|
Rosh: | Iya | Kondisi: | Baru |
Sampel:: | Dukung | Tipe:: | Lembar Data yang sama |
Cahaya Tinggi: | 8A Mosfet Power Transistor,0.35W Mosfet Power Transistor,AP1334GEU-HF Power Switching Transistor |
Komponen elektronik harga keunggulan AP1334GEU-HF untuk stok asli
Deskripsi
Seri AP1334 berasal dari desain inovatif Advanced Power dan teknologi proses silikon untuk mencapai ketahanan serendah mungkin dan kinerja peralihan cepat.Ini memberi desainer perangkat yang sangat efisien untuk digunakan dalam berbagai aplikasi daya.
Mutlak Maksimum Peringkat @Tj= 25HaiC.(kecuali ditentukan)
Simbol | Parameter | Peringkat | Unit |
VDS | Tegangan Sumber Pembuangan | 20 | V. |
VGS | Tegangan Sumber Gerbang | +8 | V. |
sayaD@TSEBUAH= 25 ℃ | Tiriskan Arus3, VGS @ 4.5V | 2.1 | SEBUAH |
sayaD@TSEBUAH= 70 ℃ | Tiriskan Arus3, VGS @ 4.5V | 1.7 | SEBUAH |
IDM | Tiriskan Arus Berdenyut1 | 8 | SEBUAH |
P.D@TSEBUAH= 25 ℃ | Total Pembuangan Daya | 0.35 | W |
TSTG | kisaran suhu penyimpanan | -55 hingga 150 | ℃ |
TJ | Kisaran Suhu Persimpangan Operasi | -55 hingga 150 | ℃ |
Data Termal
Simbol | Parameter | Nilai | Satuan |
Rthj-a | Ketahanan Termal Maksimum, Persimpangan ambien3 | 360 | ℃ / W. |
AP1334GEU-H
Karakteristik Listrik @ Tj= 25HaiC (kecuali ditentukan lain)
Simbol | Parameter | Kondisi Tes | Min. | Typ. | Max. | Unit |
BVDSS | Tegangan Kerusakan Sumber Drain | V.GS= 0V, sayaD= 250uA | 20 | - | - | V. |
RDS (AKTIF) | Static Drain-Source On-Resistance2 | V.GS= 4,5V, sayaD= 2A | - | - | 65 | mΩ |
V.GS= 2.5V, sayaD= 1,5A | - | - | 75 | mΩ | ||
V.GS= 1,8V, sayaD= 1A | - | - | 85 | mΩ | ||
VGS (th) | Tegangan Ambang Gerbang | V.DS= VGS, SayaD= 250uA | 0.3 | - | 1 | V. |
gfs | Teruskan Transkonduktansi | V.DS= 5V, sayaD= 2A | - | 12 | - | S |
IDSS | Arus Kebocoran Sumber Drain | V.DS= 16V, V.GS= 0V | - | - | 10 | uA |
IGSS | Kebocoran Sumber Gerbang | V.GS=+8V, VDS= 0V | - | - | +30 | uA |
Qg | Total Biaya Gerbang |
sayaD= 2A V.DS= 10V V.GS= 4.5V |
- | 9 | 14.4 | nC |
Qgs | Biaya Gerbang-Sumber | - | 1 | - | nC | |
Qgd | Charge Gate-Drain ("Miller") | - | 2.5 | - | nC | |
td (hidup) | Nyalakan Waktu Tunda |
V.DS= 10V ID= 1A RG= 3,3Ω V.GS= 5V |
- | 6 | - | ns |
tr | Rise Time | - | 7 | - | ns | |
td (mati) | Matikan Waktu Tunda | - | 18 | - | ns | |
tf | Waktu Musim Gugur | - | 3 | - | ns | |
Ciss | Kapasitansi masukan |
V.G.S = 0V VDS= 10V f = 1.0MHz |
- | 570 | 912 | pF |
Coss | Kapasitansi Output | - | 70 | - | pF | |
Crss | Membalikkan Kapasitansi Transfer | - | 60 | - | pF | |
Rg | Resistensi Gerbang | f = 1.0MHz | - | 2.4 | 4.8 | Ω |
Sumber-Drain Diode
Simbol | Parameter | Kondisi Tes | Min. | Typ. | Max. | Unit |
VSD | Maju Pada Tegangan2 | sayaS= 1.2A, VGS= 0V | - | - | 1.2 | V. |
trr | Membalik Waktu Pemulihan |
sayaS= 2A, VGS= 0V, dI / dt = 100A / µs |
- | 14 | - | ns |
Qrr | Balikkan Biaya Pemulihan | - | 7 | - | nC |
Catatan:
1. lebar pulsa dibatasi oleh Max.suhu persimpangan.
2. Tes pulsa
3. Permukaan dipasang pada papan FR4, t ≦ 10 detik.
Keuntungan kita:
Kami memiliki tim profesional untuk melayani Anda, sistem pemesanan ERP profesional, sistem penyimpanan WSM, Mendukung pembelian online, Mendukung kutipan BOM,
lebih semua item dengan harga bagus dan kualitas tinggi.
Kontak Person: David