Nama Produk:transistor MOSFET daya
VDSS:20V
Bahan:Silicon
Nama Produk:transistor MOSFET daya
VDS:30V
RDS (ON) <35mΩ:(VGS = 4.5V)
Nama Produk:transistor MOSFET daya
Suhu persimpangan::150℃
Bahan:Silicon
Nama Produk:transistor MOSFET daya
VDS:30V
ID (pada VGS = 10V):13A
Nama Produk:transistor MOSFET daya
RDS (ON) (pada VGS = 10V):<24mΩ
Bahan:Silicon
Nama Produk:transistor MOSFET daya
Aplikasi:Switching Frekuensi Tinggi
Bahan:Silicon
Nama Produk:transistor MOSFET daya
Suhu persimpangan::150℃
Bahan:Silicon
Struktur:Struktur Vertikal
Tegangan Sumber Drain V DSS:-40 V
Tegangan Sumber Gerbang V GSS:± 20 V
Nama Produk:transistor MOSFET daya
Tegangan Sumber Drain V DSS:-60 V
Tegangan Sumber Gerbang V GSS:± 20 V
Nama Produk:Mos Field Effect Transistor
Tegangan Sumber Drain V DSS:30 V
Tegangan Sumber Gerbang V GSS:± 20 V
Nama Produk:transistor MOSFET daya
Tegangan Sumber Drain V DSS:30 V
Tegangan Sumber Gerbang V GSS:± 20 V
Nama Produk:Mos Field Effect Transistor
Tegangan Sumber Drain V DSS:60 V
Tegangan Sumber Gerbang V GSS:± 25 V