Rumah ProdukTip Power Transistor

D882M NPN Transistor Beralih Emitor Base Voltage 6V Efisiensi Tinggi

Sertifikasi
Cina Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikasi
Cina Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikasi
Ulasan pelanggan
kami bekerja sama dengan Hua Xuan Yang sebagian besar karena profesionalisme mereka, tanggapan mereka yang tajam terhadap penyesuaian produk yang kami butuhkan, penyelesaian semua kebutuhan kami dan, di atas semua itu, Mereka menyediakan layanan berkualitas.

—— —— Jason dari Kanada

Di bawah rekomendasi teman saya, kami tahu tentang Hua Xuan Yang, seorang ahli senior dalam industri komponen semikonduktor dan elektronik, yang telah memungkinkan kami untuk mengurangi waktu berharga kami dan tidak harus berani mencoba pabrik lain.

—— —— Виктор dari Rusia

I 'm Online Chat Now

D882M NPN Transistor Beralih Emitor Base Voltage 6V Efisiensi Tinggi

D882M NPN Transistor Beralih Emitor Base Voltage 6V Efisiensi Tinggi
D882M NPN Transistor Beralih Emitor Base Voltage 6V Efisiensi Tinggi

Gambar besar :  D882M NPN Transistor Beralih Emitor Base Voltage 6V Efisiensi Tinggi

Detail produk:
Tempat asal: Shenzhen Cina
Nama merek: Hua Xuan Yang
Sertifikasi: RoHS、SGS
Nomor model: D882M
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: 1000-2000 PCS
Harga: Negotiated
Kemasan rincian: Kotak
Waktu pengiriman: 1 - 2 minggu
Syarat-syarat pembayaran: L / CT / T Western Union
Menyediakan kemampuan: 18.000.000 PCS / Per Hari

D882M NPN Transistor Beralih Emitor Base Voltage 6V Efisiensi Tinggi

Deskripsi
Tegangan Kolektor-Basis Tegangan Kolektor-Basis: 40V Tegangan Kolektor-Emitor: 30V
Tegangan Basis Emitor: 6V Transistor Mosfet daya: TO-252-2L Plastik-Enkapsulasi
Mengetik: tipe triode semikonduktor penggunaan: Komponen elektronik
Cahaya Tinggi:

transistor seri ujung

,

transistor pnp daya tinggi

TO-252-2L Plastik-Enkapsulasi Transistor D882M TRANSISTOR (NPN)

FITUR


Disipasi daya

PERINGKAT MAKSIMUM (T a = 25 Š kecuali dinyatakan lain)

Simbol Parameter Nilai Satuan
V CBO Tegangan Kolektor-Basis 40 V
V CEO Tegangan Kolektor-Emitor 30 V
V EBO Tegangan Basis Emitor 6 V
Saya C. Kolektor Lancar -Terus-menerus 3 SEBUAH
P C Pembuangan Daya Kolektor 1.25 W
T J Suhu persimpangan 150
T stg Suhu penyimpanan -55-150




KARAKTERISTIK LISTRIK

T a = 25 Š kecuali ditentukan lain

Parameter Simbol Kondisi pengujian Min Ketik Maks Satuan
Tegangan rusak kolektor-basis V (BR) CBO I C = 100μA, I E = 0 40 V
Tegangan rusak kolektor-emitor V (BR) CEO I C = 10mA, I B = 0 30 V
Tegangan gangguan basis emitor V (BR) EBO I E = 100μA, I C = 0 6 V
Arus cut-off kolektor ICBO V CB = 40 V, I E = 0 1 μA
Arus cut-off kolektor ICEO V CE = 30 V, I B = 0 10 μA
Arus cut emitor IEBO V EB = 6 V, I C = 0 1 μA
Keuntungan arus DC hFE V CE = 2 V, I C = 1A 60 400
Tegangan saturasi kolektor-emitor VCE (sat) I C = 2A, I B = 0,2 A 0,5 V
Tegangan saturasi basis-emitor VBE (sat) I C = 2A, I B = 0,2 A 1.5 V

Frekuensi transisi

f T

V CE = 5V, I C = 0,1A

f = 10MHz

90

MHz


KLASIFIKASI H FE (2)

Pangkat R HAI Y GR
Jarak 60-120 100-200 160-320 200-400


Karakteristik Khas



Dimensi Garis Besar Paket

Simbol Dimensi Dalam Milimeter Dimensi Dalam Inci
Min. Maks. Min. Maks.
SEBUAH 2.200 2.380 0,087 0,094
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
B 0,800 1.400 0,031 0,055
b 0,710 0,810 0,028 0,032
c 0,460 0,560 0,018 0,022
c1 0,460 0,560 0,018 0,022
D 6.500 6,700 0,256 0,264
D1 5.130 5.460 0,202 0,215
E 6.000 6.200 0,236 0,244
e 2.286 TYP. 0,090 TYP.
e1 4.327 4.727 0,170 0,186
M. 1.778REF. 0,070REF.
N 0.762REF. 0,018REF.
L. 9.800 10.400 0,386 0,409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1.400 1.700 0,055 0,067
V 4.830 REF. 0,190 REF.
saya 1.100 1.300 0,043 0,0 ± 1





Rincian kontak
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Kontak Person: David

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)

Tinggalkan pesan

Kami akan segera menghubungi Anda kembali!