|
Detail produk:
|
| Nama Produk: | transistor MOSFET daya | VDS: | 30V |
|---|---|---|---|
| ID (pada VGS = 10V): | 13A | Nomor model: | HXY4406A |
| RDS (ON) (pada VGS = 10V): | <11.5mΩ | Mengetik: | transistor MOSFET |
| Cahaya Tinggi: | transistor arus tinggi,saklar MOSFET logika |
||
Ringkasan Produk
| VDS | 30V |
| ID (pada VGS = 10V) | 13A |
| RDS (ON) (pada VGS = 10V) | <11.5mΩ |
| RDS (ON) (pada VGS = 4.5V) | <15,5 mΩ |
Gambaran umum
HXY4406A menggunakan teknologi parit canggih untuk memberikan RDS yang sangat baik (ON) dengan biaya gerbang rendah. Perangkat ini cocok untuk sakelar sisi tinggi pada SMPS dan aplikasi tujuan umum.
Karakteristik Listrik (T = 25 ° C kecuali dinyatakan lain)
A. Nilai R θ JA diukur dengan perangkat yang dipasang di papan 1in 2 FR-4 dengan 2oz. Tembaga, di lingkungan yang tenang dengan T A = 25 ° C. Itu
nilai dalam aplikasi apa pun tergantung pada desain papan spesifik pengguna.
B. Disipasi daya P D didasarkan pada TJ (MAX) = 150 ° C, menggunakan resistensi termal persimpangan-ke-ambien ≤ 10s.
C. Peringkat berulang, lebar pulsa dibatasi oleh suhu persimpangan TJ (MAX) = 150 ° C. Peringkat didasarkan pada frekuensi rendah dan siklus tugas yang harus dijaga
initialT = 25 ° C.
D. R θ JA adalah jumlah dari impedansi termal dari persimpangan untuk mengarah R θ JL dan mengarah ke sekitar.
E. Karakteristik statis pada Gambar 1 sampai 6 diperoleh dengan menggunakan pulsa <300μs, siklus kerja maks 0,5%.
F. Kurva ini didasarkan pada impedansi termal junction-to-ambient yang diukur dengan perangkat yang dipasang pada papan 1in 2 FR-4 dengan
2 oz. Tembaga, dengan asumsi suhu persimpangan maksimum TJ (MAX) = 150 ° C. Kurva SOA memberikan peringkat pulsa tunggal.
G. Siklus lonjakan tugas 5% maks, dibatasi oleh suhu persimpangan TJ (MAX) = 125 ° C.
KARAKTERISTIK LISTRIK DAN TERMAL KHAS
Kontak Person: David
