Rumah Produktransistor MOSFET daya

Multi-Fungsional MOSFET Saklar Daya / AP8810TS MOSFET Saklar Arus Tinggi

Sertifikasi
Cina Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikasi
Cina Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Sertifikasi
Ulasan pelanggan
kami bekerja sama dengan Hua Xuan Yang sebagian besar karena profesionalisme mereka, tanggapan mereka yang tajam terhadap penyesuaian produk yang kami butuhkan, penyelesaian semua kebutuhan kami dan, di atas semua itu, Mereka menyediakan layanan berkualitas.

—— —— Jason dari Kanada

Di bawah rekomendasi teman saya, kami tahu tentang Hua Xuan Yang, seorang ahli senior dalam industri komponen semikonduktor dan elektronik, yang telah memungkinkan kami untuk mengurangi waktu berharga kami dan tidak harus berani mencoba pabrik lain.

—— —— Виктор dari Rusia

I 'm Online Chat Now

Multi-Fungsional MOSFET Saklar Daya / AP8810TS MOSFET Saklar Arus Tinggi

Multi-Fungsional MOSFET Saklar Daya / AP8810TS MOSFET Saklar Arus Tinggi
Multi-Fungsional MOSFET Saklar Daya / AP8810TS MOSFET Saklar Arus Tinggi Multi-Fungsional MOSFET Saklar Daya / AP8810TS MOSFET Saklar Arus Tinggi Multi-Fungsional MOSFET Saklar Daya / AP8810TS MOSFET Saklar Arus Tinggi

Gambar besar :  Multi-Fungsional MOSFET Saklar Daya / AP8810TS MOSFET Saklar Arus Tinggi

Detail produk:
Tempat asal: Shenzhen Cina
Nama merek: Hua Xuan Yang
Sertifikasi: RoHS、SGS
Nomor model: AP8810TS
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: Negosiasi
Harga: Negotiated
Kemasan rincian: Kotak
Waktu pengiriman: 1 - 2 minggu
Syarat-syarat pembayaran: L / CT / T Western Union
Menyediakan kemampuan: 18.000.000 PCS / Per Hari

Multi-Fungsional MOSFET Saklar Daya / AP8810TS MOSFET Saklar Arus Tinggi

Deskripsi
Nama Produk: Saklar Daya MOSFET Model: AP8810TS
Pak: TSSOP-8 Menandai: AP8810E XXX YYYY
Tegangan Sumber VDSDrain: 20V Tegangan VGSGate-Sou: ± 12V
Cahaya Tinggi:

n menyalurkan transistor MOSFET

,

transistor tegangan tinggi

Multi-Fungsional MOSFET Saklar Daya / AP8810TS MOSFET Saklar Arus Tinggi

Deskripsi Umum :

Mos Field Effect Transistor digunakan di banyak catu daya dan aplikasi daya umum, terutama sebagai sakelar. Varian termasuk MOSFET planar, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs dan nama merek lain yang berbeda.

Fitur Umum

VDS = 20V, ID = 7A
RDS (ON) <28mΩ @ VGS = 2.5V
RDS (ON) <26mΩ @ VGS = 3.1V
RDS (ON) <22mΩ @ VGS = 4V
RDS (ON) <20mΩ @ VGS = 4.5V
Peringkat ESD: 2000V HBM

Aplikasi

Perlindungan baterai
Sakelar beban Manajemen daya

Informasi Penandaan Paket dan Pemesanan

ID Produk Pak Menandai Qty (PCS)
AP8810TS TSSOP-8 AP8810E XXX YYYY 5000

PERINGKAT Maksimal ABSOLUTE (TA = 25kecuali dinyatakan lain)

Parameter Simbol Membatasi Satuan
Tegangan Drain-Source VDS 20 V
Tegangan Sumber Gerbang VGS ± 12 V

Tiriskan Current-Continuous @ Current-Pulsed (Catatan 1)

Indo 7 SEBUAH
IDM 25 SEBUAH
Pembuangan Daya Maksimal PD 1.5 W
Operasi Persimpangan dan Kisaran Suhu Penyimpanan TJ, T STG -55 Sampai 150
Resistansi Termal, Persimpangan ke Ambient (Catatan 2) RθJA 83 ℃ / W
Parameter Simbol Membatasi Satuan
Tegangan Drain-Source VDS 20 V
Tegangan Sumber Gerbang VGS ± 12 V

Tiriskan Current-Continuous @ Current-Pulsed (Catatan 1)

Indo 7 SEBUAH
IDM 25 SEBUAH
Pembuangan Daya Maksimal PD 1.5 W
Operasi Persimpangan dan Kisaran Suhu Penyimpanan TJ, T STG -55 Sampai 150
Tahan Panas, Persimpangan ke Ambient (Catatan 2) RθJA 83 ℃ / W

KARAKTERISTIK LISTRIK (TA = 25kecuali dinyatakan lain)

Parameter Simbol Kondisi Min Ketik Maks Satuan
Tegangan Kerusakan Sumber Tiriskan BV DSS V GS = 0V ID = 250 μA 20 V
Nol Gerbang Tegangan Drain Arus IDSS V DS = 20V, V GS = 0V 1 μA

Gate-Body Leakage Current

IGSS

V GS = ± 4.5V, V DS = 0V ± 200 tidak
V GS = ± 10V, VDS = 0V ± 10 ya
Tegangan Ambang Gerbang V GS (th) V DS = V GS, ID = 250 μA 0,6 0,75 1.2 V

Drain-Source Resistance Di-Negara

RDS (ON)

V GS = 4.5V, ID = 6.5A 14 20 m Ω
V GS = 4V, ID = 6A 16 22 m Ω
V GS = 3.1V, ID = 5.5A 19 26 m Ω
V GS = 2.5V, ID = 5.5A 24 28 m Ω
Penerusan Transkonduktansi gFS V DS = 10V, ID = 6.5A 6.6 S
Input Kapasitansi Clss 650 PF
Kapasitansi Keluaran Coss 360 PF
Membalikkan Kapasitansi Transfer Crss 154 PF
Waktu Tunda Nyalakan td (aktif) 11 22 nS
Hidupkan Waktu Bangkit

r

t

12 28 nS
Matikan Waktu Tunda td (mati) 35 73 nS
Turn-Off Fall Time

f

t

33 65 nS
Total Biaya Gerbang Qg

V DS = 10V, ID = 7A, V GS = 4.5V

11 16 nC
Biaya Sumber Gerbang Qgs 2.5 nC
Gate-Drain Charge Qgd 3.2 nC
Tegangan Maju Dioda (Catatan 3) V SD V GS = 0V, IS = 1.5A 0,84 1.2 V
Parameter Simbol Kondisi Min Ketik Maks Satuan
Tegangan Kerusakan Sumber Tiriskan BV DSS V GS = 0V ID = 250 μA 20 V
Nol Gerbang Tegangan Drain Arus IDSS V DS = 20V, V GS = 0V 1 μA

Gate-Body Leakage Current

IGSS

V GS = ± 4.5V, V DS = 0V ± 200 tidak
V GS = ± 10V, VDS = 0V ± 10 ya
Tegangan Ambang Gerbang V GS (th) V DS = V GS, ID = 250 μA 0,6 0,75 1.2 V

Drain-Source Resistance Di-Negara

RDS (ON)

V GS = 4.5V, ID = 6.5A 14 20 m Ω
V GS = 4V, ID = 6A 16 22 m Ω
V GS = 3.1V, ID = 5.5A 19 26 m Ω
V GS = 2.5V, ID = 5.5A 24 28 m Ω
Penerusan Transkonduktansi gFS V DS = 10V, ID = 6.5A 6.6 S
Input Kapasitansi Clss 650 PF
Kapasitansi Keluaran Coss 360 PF
Membalikkan Kapasitansi Transfer Crss 154 PF
Waktu Tunda Nyalakan td (aktif) 11 22 nS
Hidupkan Waktu Bangkit

r

t

12 28 nS
Matikan Waktu Tunda td (mati) 35 73 nS
Turn-Off Fall Time

f

t

33 65 nS
Total Biaya Gerbang Qg

V DS = 10V, ID = 7A, V GS = 4.5V

11 16 nC
Biaya Sumber Gerbang Qgs 2.5 nC
Gate-Drain Charge Qgd 3.2 nC
Tegangan Maju Dioda (Catatan 3) V SD V GS = 0V, IS = 1.5A 0,84 1.2 V

CATATAN:

1. Peringkat Berulang: Lebar pulsa dibatasi oleh suhu persimpangan maksimum.

2. Permukaan Dipasang di Papan FR4, t ≤ 10 detik.

3. Uji Pulsa: Lebar Pulsa ≤ 300 μs, Duty Cycle ≤ 2%.

4. Dijamin oleh desain, tidak dikenakan pengujian produksi.

Perhatian

1, Setiap dan semua produk Mikroelektronika APM yang diuraikan atau terkandung di sini tidak memiliki spesifikasi yang dapat menangani aplikasi yang membutuhkan tingkat keandalan yang sangat tinggi, seperti sistem pendukung kehidupan, sistem kontrol pesawat, atau aplikasi lain yang kegagalannya dapat diperkirakan mengakibatkan kerusakan fisik dan / atau material yang serius. Konsultasikan dengan perwakilan Mikroelektronika APM terdekat Anda sebelum menggunakan produk Mikroelektronika APM yang dijelaskan atau terkandung di sini dalam aplikasi tersebut.

2, APM Mikroelektronika tidak bertanggung jawab atas kegagalan peralatan yang diakibatkan oleh penggunaan produk pada nilai yang melebihi, bahkan untuk sementara, nilai pengenal (seperti peringkat maksimum, rentang kondisi operasi, atau parameter lain) yang tercantum dalam spesifikasi produk dari setiap dan semua produk Mikroelektronika APM dijelaskan atau terkandung di sini.

3, Spesifikasi dari setiap dan semua produk Mikroelektronika APM yang diuraikan atau terkandung di sini memicu kinerja, karakteristik, dan fungsi produk yang dijelaskan di negara bagian yang independen, dan bukan merupakan jaminan kinerja, karakteristik, dan fungsi dari produk yang dijelaskan sebagaimana dipasang di produk atau peralatan pelanggan. Untuk memverifikasi gejala dan keadaan yang tidak dapat dievaluasi dalam perangkat independen, pelanggan harus selalu mengevaluasi dan menguji perangkat yang dipasang pada produk atau peralatan pelanggan.

4, APM Mikroelektronika Semikonduktor CO., LTD. berusaha keras untuk memasok produk dengan keandalan tinggi berkualitas tinggi. Namun, setiap dan semua produk semikonduktor gagal dengan beberapa kemungkinan. Ada kemungkinan bahwa kegagalan probabilistik ini dapat menimbulkan kecelakaan atau peristiwa yang dapat membahayakan jiwa manusia yang dapat menimbulkan asap atau kebakaran, atau yang dapat menyebabkan kerusakan pada properti lainnya. Saat merancang peralatan, adopsi langkah-langkah keselamatan sehingga kecelakaan atau peristiwa semacam ini tidak dapat terjadi. Langkah-langkah tersebut termasuk tetapi tidak terbatas pada sirkuit pelindung dan sirkuit pencegahan kesalahan untuk desain yang aman, desain yang berlebihan, dan desain struktural.

5, Dalam hal setiap atau semua produk Mikroelektronika APM (termasuk data teknis, layanan) yang dijelaskan atau terkandung di sini dikendalikan oleh undang-undang dan peraturan kontrol ekspor lokal yang berlaku, produk tersebut tidak boleh diekspor tanpa memperoleh lisensi ekspor dari pihak berwenang bersangkutan sesuai dengan hukum di atas.

6, Tidak ada bagian dari publikasi ini yang boleh direproduksi atau ditransmisikan dalam bentuk apa pun atau dengan cara apa pun, elektronik atau mekanik, termasuk fotokopi dan rekaman, atau sistem penyimpanan atau pengambilan informasi, atau sebaliknya, tanpa izin tertulis sebelumnya dari APM Microelectronics Semiconductor CO ., LTD.

7, Informasi (termasuk diagram rangkaian dan parameter rangkaian) di sini hanya sebagai contoh; itu tidak dijamin untuk volume produksi. APM Microelectronics percaya informasi di sini akurat dan dapat diandalkan, tetapi tidak ada jaminan yang dibuat atau tersirat mengenai penggunaannya atau setiap pelanggaran hak kekayaan intelektual atau hak-hak lain dari pihak ketiga.

8, Setiap dan semua informasi yang diuraikan atau terkandung di sini dapat berubah tanpa pemberitahuan karena peningkatan produk / teknologi, dll. Saat merancang peralatan, lihat "Spesifikasi Pengiriman" untuk produk Mikroelektronika APM yang ingin Anda gunakan.

Rincian kontak
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Kontak Person: David

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)

Tinggalkan pesan

Kami akan segera menghubungi Anda kembali!